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RD3P07BBH (新产品)

更新时间: 2023-09-03 20:24:57
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罗姆 - ROHM /
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13页 2913K
描述
RD3P07BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching.

RD3P07BBH (新产品) 数据手册

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RD3P07BBH  
Nch 100V 80A Power MOSFET  
Datasheet  
llOutline  
VDSS  
100V  
7.7mΩ  
±80A  
89W  
DPAK  
RDS(on)(Max.)  
TO-252  
ID  
PD  
llInner circuit  
llFeatures  
1) Low on - resistance  
2) High Power Package(TO-252)  
3) Pb-free plating ; RoHS compliant  
4) Halogen free  
llPackaging specifications  
Embossed  
Tape  
Packing  
Reel size (mm)  
330  
16  
llApplication  
Tape width (mm)  
Quantity (pcs)  
Taping code  
Marking  
Type  
Switching  
2500  
TL1  
RD3P07BBH  
llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)  
a
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
V
VDSS  
Drain - Source voltage  
100  
±80  
*1  
Silicon limit (V =10V)  
ID  
A
GS  
Continuous drain current  
*2  
Tc = 25°C (V =10V)  
ID  
±70  
A
GS  
*3  
IDP  
Pulsed drain current  
Gate - Source voltage  
±320  
±20  
A
VGSS  
V
*4  
IAS  
Avalanche current, single pulse  
Avalanche energy, single pulse  
Power dissipation  
23  
A
*4  
EAS  
43  
mJ  
W
*2  
PD  
89  
Tj  
Junction temperature  
150  
Tstg  
Operating junction and storage temperature range  
-55 to +150  
www.rohm.com  
© 2022 ROHMCo., Ltd. All rights reserved.  
1/10  
20221122 - Rev.002  

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