生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.65 | 其他特性: | LOW NOISE |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-35 | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
膝阻抗最大值: | 300 Ω | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.4 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大反向电流: | 0.1 µA | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 工作测试电流: | 5 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RD36JS | EIC |
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SILICON ZENER DIODES | |
RD36JS | NEC |
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DO-34 Package Low noise, Sharp Breakdown characteristics 400 mW Zener Diode | |
RD36JSAB | EIC |
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SILICON ZENER DIODES | |
RD36JSAB1 | EIC |
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SILICON ZENER DIODES | |
RD36JSAB1 | NEC |
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Zener Diode, 36V V(Z), 2.486%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, DO-34, 2 PIN | |
RD36JSAB1-AZ | RENESAS |
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ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,36V V(Z),DO-34 | |
RD36JSAB1-T1-AZ | RENESAS |
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ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,36V V(Z),DO-34 | |
RD36JSAB2 | EIC |
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SILICON ZENER DIODES | |
RD36JSAB2-AZ | RENESAS |
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ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,36V V(Z),DO-34 | |
RD36JSAB2-T1-AZ | RENESAS |
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ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,36V V(Z),DO-34 |