5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-34 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.49 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 75 Ω |
| JEDEC-95代码： | DO-34 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 34.89 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 最大电压容差： | 2.52% |
| 工作测试电流： | 5 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RD36ESAB4-AZ | RENESAS |
获取价格 |
RD36ESAB4-AZ |
|
| RD36ESAB4-T1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
RD36ESAB4-T1-AZ |
|
| RD36ESAB4-T3-AZ | RENESAS |
获取价格 |
RD36ESAB4-T3-AZ |
|
| RD36ESAB4-T4-AZ | RENESAS |
获取价格 |
RD36ESAB4-T4-AZ |
|
| RD36ESAB-T3-AZ | RENESAS |
获取价格 |
RD36ESAB-T3-AZ |
|
| RD36ESB | MCC |
获取价格 |
Zener Diode, 33.64V V(Z), 2.53%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, GLASS PACKAGE-2 |
|
| RD36ESC | MCC |
获取价格 |
Zener Diode, 34.265V V(Z), 2.52%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, GLASS PACKAGE-2 |
|
| RD36ESD | MCC |
获取价格 |
Zener Diode, 34.89V V(Z), 2.52%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, GLASS PACKAGE-2 |
|
| RD36ES-T1AB | NEC |
获取价格 |
Zener Diode, 33.96V V(Z), 5.35%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, |
|
| RD36ES-T1AB1 | NEC |
获取价格 |
Zener Diode, 32.97V V(Z), 2.5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
