是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | R-PDSO-F2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.48 | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 1 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 13 V |
表面贴装: | YES | 技术: | ZENER |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最大电压容差: | 6.42% | 工作测试电流: | 5 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RD13FS(0)-T1-AY | RENESAS |
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RD13FS(0)-T1-AY | |
RD13JB | NEC |
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Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, | |
RD13JS | EIC |
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SILICON ZENER DIODES | |
RD13JS | NEC |
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DO-34 Package Low noise, Sharp Breakdown characteristics 400 mW Zener Diode | |
RD13JSAB | EIC |
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SILICON ZENER DIODES | |
RD13JSAB1 | EIC |
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SILICON ZENER DIODES | |
RD13JSAB1-T1-AZ | RENESAS |
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ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,13V V(Z),DO-34 | |
RD13JSAB2 | EIC |
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SILICON ZENER DIODES | |
RD13JSAB2-T1-AZ | RENESAS |
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ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,13V V(Z),DO-34 | |
RD13JSAB3 | EIC |
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SILICON ZENER DIODES |