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RD11UMB1

更新时间： 2024-12-01 15:49:23
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 64K
描述
Zener Diode, 11V V(Z), 2.44%, 0.15W, Silicon, Unidirectional, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-2

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RD11UMB1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.46
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.15 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：11 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：2.44%
工作测试电流：5 mABase Number Matches：1

RD11UMB1 数据手册

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DATA SHEET  
ZENER DIODES  
RD2.0UM to RD39UM  
ZENER DIODES  
2PIN ULTRA SUPER MINI MOLD  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
Type RD2.0UM to RD39UM Series are 2-pin  
Ultra Super Mini Mold Package zener diodes  
possessing an allowable power dissipation of 150  
mW.  
(Unit: mm)  
2.1±0.1  
1.3±0.1  
FEATURES  
• Sharp Breakdown characteristics  
• VZ; Applied E24 standard  
Cathode  
Indication  
APPLICATIONS  
Circuits for Constant Voltage, Constant Current,  
Waveform clipper, Surge absorber, etc.  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
Power Dissipation  
P
150 mW  
100 mA  
Forward Current  
IF  
Reverse Surge Power  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PRSM  
Tj  
85 W (at t = 10 µs/1 pulse) See Fig. 6.  
150 °C  
Tstg  
–55 to +155 °C  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for availability  
and additional information.  
Document No. D13562EJ2V0DS00 (2nd edition)  
(Previous No. DC-2136)  
Date Published March 1999 N CP(K)  
Printed in Japan  
1993  
©
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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