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RD11UMB1-T1

更新时间： 2024-12-01 18:42:31
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 63K
描述
Zener Diode, 11V V(Z), 2.44%, 0.15W, Silicon, Unidirectional, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-2

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RD11UMB1-T1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.46配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：11 V
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：2.44%工作测试电流：5 mA
Base Number Matches：1

RD11UMB1-T1 数据手册

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DATA SHEET  
ZENER DIODES  
RD2.0UM to RD39UM  
ZENER DIODES  
2PIN ULTRA SUPER MINI MOLD  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
Type RD2.0UM to RD39UM Series are 2-pin  
Ultra Super Mini Mold Package zener diodes  
possessing an allowable power dissipation of 150  
mW.  
(Unit: mm)  
2.1±0.1  
1.3±0.1  
FEATURES  
• Sharp Breakdown characteristics  
• VZ; Applied E24 standard  
Cathode  
Indication  
APPLICATIONS  
Circuits for Constant Voltage, Constant Current,  
Waveform clipper, Surge absorber, etc.  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
Power Dissipation  
P
150 mW  
100 mA  
Forward Current  
IF  
Reverse Surge Power  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PRSM  
Tj  
85 W (at t = 10 µs/1 pulse) See Fig. 6.  
150 °C  
Tstg  
–55 to +155 °C  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for availability  
and additional information.  
Document No. D13562EJ2V0DS00 (2nd edition)  
(Previous No. DC-2136)  
Date Published March 1999 N CP(K)  
Printed in Japan  
1993  
©
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RD11UMB1-T2 RENESAS

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 		11V, 0.15W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-
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