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RD07MVS1B-101,T112

更新时间： 2024-11-09 15:49:19

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	207K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-10

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RD07MVS1B-101,T112 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XQCC-N3
针数：	10	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-XQCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RD07MVS1B-101,T112 数据手册

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Silicon RF Power Semiconductors

ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE

OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS

RD07MVS1B

RoHS Compliance,

Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,520MHz,7W

DESCRIPTION

OUTLINE DRAWING

RD07MVS1B is a MOS FET type transistor

specifically designed for VHF/UHF RF power

amplifiers applications.

4.6+/-0.05

3.3+/-0.05

0.8+/-0.05

6.0+/-0.15

0.2+/-0.05

RD07MVS1B improved a drain surge than

RD07MVS1 by optimizing MOSFET structure.

FEATURES

High power gain:

Pout>7W, Gp>10dB

(0.25)

@Vdd=7.2V,f=520MHz

High Efficiency: 60%typ. (175MHz)

High Efficiency: 55%typ. (520MHz)

INDEX MARK

(Gate)

Terminal No.

1.Drain (output)

2.Source (GND)

3.Gate (input)

APPLICATION

For output stage of high power amplifiers in

VHF/UHF band mobile radio sets.

Note

( ):center value

UNIT:mm

RoHS COMPLIANT

RD07MVS1B-101, T112 is a RoHS compliant product.

RoHS compliance is indicating by the letter “G” after the Lot Marking.

This product includes the lead in high melting temperature type solders.

However, it is applicable to the following exceptions of RoHS Directions.

1.Lead in high melting temperature type solders(i.e.tin-lead solder alloys containing more than85% lead.)

RD07MVS1B

17 Aug 2010

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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