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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RCA8766C | ETC |
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10-Ampere N-P-N Monolithic Darlington Power Transistors |
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| RCA8766D | ETC |
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10-Ampere N-P-N Monolithic Darlington Power Transistors |
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| RCA8766E | ETC |
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10-Ampere N-P-N Monolithic Darlington Power Transistors |
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| RCA-8S-4-RW-W-G | ADAM-TECH |
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1 x 2 |
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| RCA9116C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 140V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-204AA |
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| RCA9116D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-204AA |
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| RCA9116E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-204AA |
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| RCA9166A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 16A I(C) | TO-204AA |
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| RCA9166B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 16A I(C) | TO-204AA |
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| RCA9202A | GE |
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4 AMPERE NPN DARLINGTON POWER TRANSISTORS |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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