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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 500 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 65 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RCA9202B-6255 | RENESAS |
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4A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| RCA9202B-6258 | RENESAS |
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4A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| RCA9202B-6261 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| RCA9202B-6263 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| RCA9202B-6264 | RENESAS |
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4A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| RCA9202B-6265 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| RCA9202B-DR6269 | RENESAS |
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4A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| RCA9202B-DR6274 | RENESAS |
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4A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| RCA9202B-DR6280 | RENESAS |
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4A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| RCA9202C | GE |
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4 AMPERE NPN DARLINGTON POWER TRANSISTORS |
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