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RC28F128J3F75A

更新时间： 2024-11-27 12:46:51
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 闪存
页数 文件大小 规格书
66页 2203K
描述
Numonyx® Embedded Flash Memory (J3 65nm) Single Bit per Cell (SBC)

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RC28F128J3F75A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TBGA, BGA64,8X8,40针数：64
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.76
最长访问时间：75 ns备用内存宽度：8
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PBGA-B64
JESD-609代码：e0长度：13 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：128端子数量：64
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装等效代码：BGA64,8X8,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE页面大小：4/8 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：235
电源：3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：128K
最大待机电流：0.00012 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.08 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag)
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：10 mmBase Number Matches：1

RC28F128J3F75A 数据手册

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Numonyx® Embedded Flash Memory (J3 65  
nm) Single Bit per Cell (SBC)  
32, 64, and 128 Mbit  
Datasheet  
Product Features  
„ Architecture  
„ Security  
— Symmetrical 128-KB blocks  
— 128 Mbit (128 blocks)  
— 64 Mbit (64 blocks)  
— Enhanced security options for code  
protection  
— Absolute protection with VPEN = Vss  
— Individual block locking  
— 32 Mbit (32 blocks)  
— Block erase/program lockout during power  
transitions  
— Password Access feature  
— One-Time Programmable Register:  
64 OTP bits, programmed with unique  
information by Numonyx  
— Blank Check to verify an erased block  
„ Performance  
— Initial Access Speed: 75ns  
— 25 ns 8-word Asynchronous page-mode  
reads  
— 256-Word write buffer for x16 mode, 256-  
Byte write buffer for x8 mode;  
1.41 µs per Byte Effective programming  
time  
64 OTP bits, available for customer  
programming  
„ Software  
— Program and erase suspend support  
— Numonyx® Flash Data Integrator (FDI)  
— Common Flash Interface (CFI) Compatible  
— Scalable Command Set  
„ System Voltage  
— VCC = 2.7 V to 3.6 V  
— VCCQ = 2.7 V to 3.6 V  
„ Packaging  
„ Quality and Reliability  
— 56-Lead TSOP  
— 64-Ball Easy BGA package  
— Operating temperature:  
-40 °C to +85 °C  
— 100K Minimum erase cycles per block  
— 65 nm Flash Technology  
— JESD47E Compliant  
208032-03  
Jan 2011  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
©2010 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
1234567...66

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RC28F128J3F75A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RC28F128J3F75B MICRON

完全替代

 32Mb, 64Mb, 128Mb, 65nm Embedded Parallel NOR Flash Memory, Single Bit Per Cell (SBC)
PC28F128J3F75B MICRON

完全替代

 32Mb, 64Mb, 128Mb, 65nm Embedded Parallel NOR Flash Memory, Single Bit Per Cell (SBC)
PC28F128J3F75A MICRON

完全替代

 Numonyx® Embedded Flash Memory (J3 65nm) Sin

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RC28F128J3F75B MICRON

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 		32Mb, 64Mb, 128Mb, 65nm Embedded Parallel NOR Flash Memory, Single Bit Per Cell (SBC)
RC28F128J3F75D MICRON

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 		32Mb, 64Mb, 128Mb, 65nm Embedded Parallel NOR Flash Memory, Single Bit Per Cell (SBC)
RC28F128M29EWHF MICRON

获取价格

 		(x8/x16), 3V, Single Bit Per Cell, Page Read, Parallel NOR Flash Memory
RC28F128M29EWLA MICRON

获取价格

 		(x8/x16), 3V, Single Bit Per Cell, Page Read, Parallel NOR Flash Memory
RC28F128P30B85 INTEL

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 		Intel StrataFlash Embedded Memory
RC28F128P30B85 NUMONYX

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 		Numonyx StrataFlash Embedded Memory
RC28F128P30B85A NUMONYX

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 		Flash, 8MX16, 88ns, PBGA64, BGA-64
RC28F128P30B85A MICRON

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 		64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
RC28F128P30BF65A MICRON

获取价格

 		64Mb, 128Mb, 65nm, Single Bit Per Cell, Parallel NOR Flash
RC28F128P30T85 NUMONYX

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 		Numonyx StrataFlash Embedded Memory

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