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RC28F128P30B85

更新时间： 2024-01-23 22:15:35

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恒忆 - NUMONYX		闪存存储内存集成电路
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99页	1401K
描述
Numonyx StrataFlash Embedded Memory

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RC28F128P30B85 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA-64	针数：	64
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	88 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE	启动块：	BOTTOM
JESD-30 代码：	R-PBGA-B64	长度：	13 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	64	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
类型：	NOR TYPE	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

RC28F128P30B85 数据手册

Numonyx™ StrataFlash Embedded Memory

(P30)

Datasheet

Product Features

High performance

Security

— One-Time Programmable Registers:

— 85 ns initial access

• 64 unique factory device identifier bits

• 2112 user-programmable OTP bits

— Selectable OTP Space in Main Array:

• Four pre-defined 128-KByte blocks (top or bottom

configuration)

— 52 MHz with zero wait states, 17ns clock-to-data output

synchronous-burst read mode

— 25 ns asynchronous-page read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode

— Buffered Enhanced Factory Programming (BEFP) at 5 μs/

byte (Typ)

• Up to Full Array OTP Lockout

— Absolute write protection: V = V

— 1.8 V buffered programming at 7 μs/byte (Typ)

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down

Architecture

— Multi-Level Cell Technology: Highest Density at Lowest

Cost

Software

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or bottom

configuration

— 20 μs (Typ) program suspend

— 20 μs (Typ) erase suspend

— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized

— Basic Command Set and Extended Command Set

compatible

— 128-KByte main blocks

Voltage and Power

— V (core) voltage: 1.7 V – 2.0 V

— Common Flash Interface capable

— V

(I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V

CCQ

Density and Packaging

— Standby current: 20μA (Typ) for 64-Mbit

— 4-Word synchronous read current:

13 mA (Typ) at 40 MHz

— 56- Lead TSOP package (64, 128, 256,

512- Mbit)

— 64- Ball Numonyx™ Easy BGA package (64,

128, 256, 512- Mbit)

— Numonyx™ QUAD+ SCSP (64, 128, 256,

512- Mbit)

Quality and Reliability

— Operating temperature: –40 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ VIII process technology

— 16-bit wide data bus

Order Number: 306666-11

November 2007

12 3 4 5 6 7...99

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RC28F128P30B85 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
M58LT128HST8ZA6E	STMICROELECTRONICS	功能相似	128-Mbit (8 Mb 】16, Multiple Bank, Multilevel

与RC28F128P30B85相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RC28F128P30B85A	NUMONYX	获取价格	Flash, 8MX16, 88ns, PBGA64, BGA-64
RC28F128P30B85A	MICRON	获取价格	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
RC28F128P30BF65A	MICRON	获取价格	64Mb, 128Mb, 65nm, Single Bit Per Cell, Parallel NOR Flash
RC28F128P30T85	NUMONYX	获取价格	Numonyx StrataFlash Embedded Memory
RC28F128P30T85	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RC28F128P30T85A	MICRON	获取价格	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
RC28F128P33B85A	NUMONYX	获取价格	Flash, 8MX16, 85ns, PBGA64, BGA-64
RC28F128P33B85A	ROCHESTER	获取价格	8MX16 FLASH 3V PROM, 85ns, PBGA64, BGA-64
RC28F128P33B85A	MICRON	获取价格	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
RC28F128P33BF60	NUMONYX	获取价格	NumonyxÂ® P33-65nm Flash Memory

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