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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> RBV608D
RBV608D PDF预览

RBV608D

更新时间： 2024-09-20 22:44:03
品牌 Logo 应用领域
EIC 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 45K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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RBV608D 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.78Is Samacsys：N
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 V最大非重复峰值正向电流：300 A
元件数量：4最高工作温度：150 °C
最大输出电流：6 A峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：800 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

RBV608D 数据手册

 浏览型号RBV608D的Datasheet PDF文件第2页 
RBV600D - RBV610D SILICON BRIDGE RECTIFIERS  
PRV : 50 - 1000 Volts  
RBV25  
Io : 6.0 Amperes  
3.9 ± 0.2  
C3  
30 ± 0.3  
4.9 ± 0.2  
FEATURES :  
* High current capability  
Æ3.2 ± 0.1  
* High surge current capability  
* High reliability  
* Low reverse current  
* Low forward voltage drop  
* High case dielectric strength of 2000 VDC  
* Ideal for printed circuit board  
+
~ ~  
* Very good heat dissipation  
1.0 ± 0.1  
MECHANICAL DATA :  
* Case : Reliable low cost construction  
utilizing molded plastic technique  
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant  
* Terminals : Plated lead solderable per  
10  
7.5 7.5  
2.0 ± 0.2  
0.7 ± 0.1  
±0.2 ±0.2 ±0.2  
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed  
* Polarity : Polarity symbols marked on case  
* Mounting position : Any  
Dimensions in millimeters  
* Weight : 7.7 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
°
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
RBV  
RBV  
RBV  
RBV  
RBV  
RBV  
RBV  
RATING  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
SYMBOL  
VRRM  
UNIT  
600D 601D 602D 604D 606D 608D 610D  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
6.0  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000 Volts  
700  
Volts  
VRMS  
Maximum DC Blocking Voltage  
VDC  
100  
1000 Volts  
Amps.  
Maximum Average Forward Current Tc = 55 C  
IF(AV)  
°
Peak Forward Surge Current Single half sine wave  
Superimposed on rated load (JEDEC Method)  
Current Squared Time at t < 8.3 ms.  
IFSM  
300  
127  
1.0  
10  
Amps.  
I2t  
A2S  
Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 6.0 Amps.  
VF  
Volts  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
Ta = 25 C  
IR  
A
m
°
Ta = 100 C  
IR(H)  
200  
2.2  
A
m
°
C/W  
R JC  
q
°
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
C
- 40 to + 150  
- 40 to + 150  
°
TSTG  
C
°
Notes :  
1. Thermal Resistance from junction to case w ith units mounted on a 2.6"x1.4"x0.06" THK (6.5cm.x3.5cm.x0.15cm.) Al. Plate. Heatsink.  
UPDATE : AUGUST 3, 1998  
12

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