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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 5.66 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.65 V |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 50 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 5 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压： | 60 V |
| 最大反向电流： | 200 µA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RBR10NS30A | ROHM |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 30V V(RRM), Silicon, TO-263AB, SC-83, T |
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| RBR10NS30AFH | ROHM |
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RBR10NS30AFH是适合开关电源用途、支持车载的高可靠性肖特基势垒二极管。 |
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| RBR10NS40A | ROHM |
获取价格 |
RBR10NS40A是适合一般整流用途的肖特基势垒二极管。 |
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| RBR10NS40AFH | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 40V V(RRM), Silicon, TO-263AB, SC-83, T |
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| RBR10NS60A | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 60V V(RRM), Silicon, TO-263AB, SC-83, T |
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| RBR10NS60AFH | ROHM |
获取价格 |
RBR10NS60AFH是适合一般整流用途的车载级高可靠性肖特基势垒二极管。 |
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| RBR10NS60AFHTL | ROHM |
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Rectifier Diode, |
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| RBR10RSM40B (新产品) | ROHM |
获取价格 |
RBR10RSM40B是一款低VF的肖特基势垒二极管。非常适用于常规整流应用。 |
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| RBR10RSM40BTF (新产品) | ROHM |
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RBR10RSM40BTF是一款低VF的肖特基势垒二极管。非常适用于常规整流应用。车规级高 |
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| RBR10-SERIES | ETC |
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Interface IC |
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