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RBR10T60ANZ

更新时间： 2023-09-03 20:31:24

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
7页	1327K
描述
RBR10T60ANZ是适合一般整流用途的肖特基势垒二极管。

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RBR10T60ANZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.72	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.65 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	60 V	最大反向电流：	200 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RBR10T60ANZ 数据手册

Schottky Barrier Diode

Datasheet

Structure

RBR10T60ANZ

Application

Dimensions (Unit : mm)

Switching power supply

Features

1) Cathode common dual type

(1)

(2)

(3)

Cathode Anode

Anode

2) High reliability

Low V_F

Construction

Silicon epitaxial planar type

ROHM : TO220FN

Manufacture date

Package Dimensions (Unit : mm)

540

Absolute Maximum Ratings (T_c= 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Limits

Unit

V_RM

V_R

I_o

Duty≦0.5

Repetitive Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

Direct Reverse Voltage

60Hz half sin Wave, resistive load,

I_O/2 per diode, T_c=130°C Max.

60Hz half sin wave, Non-repetitive at

T_a=25°C, 1cycle, per diode

Average Forward Rectified Current

Non-repetitive Forward Current Surge Peak

I_FSM

T_j

150

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

°C

T_stg

55 to 150 °C

Electrical and Thermal Characteristics (T_j= 25°C)

Parameter

Forward Voltage

Conditions

I_F=5A

Symbol

V_F

Min. Typ. Max. Unit

0.65

200

V_R=60V

I_R

Reverse Current

A

R_th(j-c)

Junction to Case

Thermal Resistance

°C/W

www.rohm.com

2017.07 - Rev.B

1/4

12 3 4 5 6 7

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