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RBR10T30ANZC9

更新时间： 2024-02-17 03:58:42
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
8页 599K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 30V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220FN, 3 PIN

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RBR10T30ANZC9 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：TO-220FN, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：5.67
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.55 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向电流：100 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

RBR10T30ANZC9 数据手册

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Schottky Barrier Diode  
RBR10T30ANZ  
Data Sheet  
lStructure  
lApplication  
lDimensions (Unit : mm)  
0.3  
0.1  
4.5±  
Switching power supply  
0.3  
0.1  
0.2  
0.1  
10.0±  
2.8±  
φ3.2±0.2  
lFeatures  
(1)  
Anode  
(2)  
(3)  
Cathode Anode  
1) Cathode common dual type  
1
1.2  
2) High reliability  
1.3  
0.8  
Low VF  
3)  
2.6±0.5  
0.75±0.1  
0.05  
lConstruction  
ROHM : TO220FN  
2.45±0.5 2.45±0.5  
1
Manufacture date  
(1) (2) (3)  
Silicon epitaxial planar type  
lPackage Dimensions (Unit : mm)  
7
540  
lAbsolute Maximum Ratings (Tc= 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Limits  
30  
Unit  
VRM  
VR  
Io  
Duty≦0.5  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Reverse Voltage  
V
V
Direct Reverse Voltage  
30  
60Hz half sin Wave, resistive load,  
IO/2 per diode, Tc=135°C Max.  
60Hz half sin wave, Non-repetitive at  
Ta=25°C, 1cycle, per diode  
Average Forward Rectified Current  
Non-repetitive Forward Current Surge Peak  
10  
A
IFSM  
Tj  
50  
A
-
-
150  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
°C  
Tstg  
-55 to +150 °C  
lElectrical and Thermal Characteristics (Tj = 25°C)  
Parameter  
Forward Voltage  
Conditions  
IF=5A  
Symbol  
VF  
Min. Typ. Max. Unit  
-
-
-
-
-
-
0.55  
100  
2
V
VR=30V  
IR  
Reverse Current  
mA  
Rth(j-c)  
Junction to Case  
Thermal Resistance  
°C/W  
www.rohm.com  
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2016.08 - Rev.A  
1/5  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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RBR10T60AHZC9 ROHM

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220FN
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