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RBR10T40ANZ

更新时间： 2024-09-29 11:11:59

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关二极管
页数	文件大小	规格书
8页	1361K
描述
RBR10T30ANZ是低VF的开关电源用肖特基势垒二极管。

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RBR10T40ANZ 数据手册

Schottky Barrier Diode

Datasheet

Structure

RBR10T40ANZ

Application

Dimensions (Unit : mm)

Switching power supply

Features

(1)

Anode

(2)

(3)

Cathode Anode

1) Cathode common dual type

2) High reliability

Low V_F

Construction

ROHM : TO220FN

Silicon epitaxial planar type

Manufacture date

Package Dimensions (Unit : mm)

540

Absolute Maximum Ratings (T_c= 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Limits

Unit

V_RM

V_R

I_o

Duty≦0.5

Repetitive Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

Direct Reverse Voltage

60Hz half sin Wave, resistive load,

I_O/2 per diode, T_c=130°C Max.

60Hz half sin wave, Non-repetitive at

T_a=25°C, 1cycle, per diode

Average Forward Rectified Current

Non-repetitive Forward Current Surge Peak

I_FSM

T_j

150

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

°C

T_stg

55 to 150 °C

Electrical and Thermal Characteristics (T_j= 25°C)

Parameter

Forward Voltage

Conditions

I_F=5A

Symbol

V_F

Min. Typ. Max. Unit

0.62

120

V_R=40V

I_R

Reverse Current

A

R_th(j-c)

Junction to Case

Thermal Resistance

°C/W

www.rohm.com

2017.07 - Rev.B

1/5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RBR10T60AHZC9	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220FN
RBR10T60ANZ	ROHM	获取价格	RBR10T60ANZ是适合一般整流用途的肖特基势垒二极管。
RBR11101F	ETC	获取价格	Interface IC
RBR11101G	ETC	获取价格	Interface IC
RBR11101J	ETC	获取价格	Interface IC
RBR11102F	ETC	获取价格	Interface IC
RBR11102G	ETC	获取价格	Interface IC
RBR11102J	ETC	获取价格	Interface IC
RBR11103F	ETC	获取价格	Interface IC
RBR11103G	ETC	获取价格	Interface IC