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RB400VA-50_11

更新时间： 2024-11-30 12:20:27

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	979K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB400VA-50_11 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB400VA-50

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

General rectification

1.1

0.17±0.1

ꢀꢀ 0.05

1.3±0.05

Features

1) Small mold type. (TUMD2)

2) Low V_F, Low I_R.

3) High reliability.

TUMD2

Construction

Silicon epitaxial planer

Structure

0.8±0.05

0.6±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

ROHM : TUMD2

dot (year week factory) + day

Taping specifications(Unit : mm)

φ1.55±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ 0

0.25±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.2

ꢀꢀꢀꢀꢀ0

1.43±0.05

0.9±0.08

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

V_R

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz / 1cyc)

Junction temperature

0.5

I_FSM

125

°C

Storage temperature

40 to 125

Tstg

Electrical characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Symbol

V_F1

I_R1

Min.

Typ.

Max.

0.55

Unit

Conditions

Forward voltage

Reverse current

I_F=500mA

μA

V_R=10V

I_R2

V_R=30V

Ct1

125

V_R=0V , f=1MHz

V_R=10V , f=1MHz

Capacitance between terminals

Ct2

www.rohm.com

1/3

2011.04 - Rev.B

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