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RB055L-40_11

更新时间： 2024-09-27 09:38:03

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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Schottky Barrier Diode

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RB055L-40_11 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB055L-40

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

General rectification

2.0

2.6±0.2

Features

1)Small power mold type.（PMDS）

2)Low I_R

0.1±0.02

ꢀꢀꢀ 0.1

①

②

3)High reliability

2.0±0.2

1.5±0.2

PMDS

Construction

Silicon epitaxial planar

Structure

ROHM : PMDS

JEDEC : SOD-106

①

②

Manufacture Date

Taping specifications(Unit : mm)

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3

φ1.55±0.05

φ1.55

2.9±0.1

4.0±0.1

2.8MAX

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

V_R

Average rectified forwarfd current

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

Junction temperature

I_FSM

150

°C

Storage temperature

40 to 150

Tstg

(*1) Mounted on epoxyboard. 180°Half sine wave

Electrical characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.65

0.5

Unit

Conditions

V_F

I_R

I_F=3.0A

V_R=40V

Reverse current

www.rohm.com

1/3

2011.04 - Rev.A

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