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RB055L-60

更新时间： 2024-02-09 12:51:48

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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Schottky Barrier Diode

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RB055L-60 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	R-PDSO-C2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.68 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：	70 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	60 V	最大反向电流：	70 µA
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB055L-60 数据手册

RB055L-60

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB055L-60

lApplications

lExternal Dimensions(Unit : mm)

lLand Size Figure(Unit : mm)

General rectification

2.6±0.2

2.0

lFeatures

1)Small power mold type.(PMDS)

2)Low IR

0.1±0.02

ꢀꢀꢀ 0.1

3)High reliability

2.0±0.2

1.5±0.2

PMDS

lConstruction

Silicon epitaxial

lStructure

ROHM : PMDS

JEDEC : SOD-106

Manufacture Date

lTaping Dimensions(Unit : mm)

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3

φ 1.55±0.05

φ 1.55

2.9±0.1

4.0±0.1

2.8MAX

lAbsolute Maximum Ratings(Ta=25°C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

Unit

V_RM

V_R

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

150

°C

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

(*1)Mounting on epoxi board. 180°Half sine wave

lElectrical Characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

I_F=3.0A

V_R=60V

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.68

Unit

V_F

I_R

Reverse current

www.rohm.com

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2012.08 - Rev.A

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