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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> RA354GP-BP
RA354GP-BP PDF预览

RA354GP-BP

更新时间： 2024-09-25 13:12:55
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 整流二极管IOT
页数 文件大小 规格书
3页 118K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 400V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, RA, 2 PIN

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RA354GP-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：O-PEDB-N2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.71应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PEDB-N2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：500 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：35 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：400 V表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

RA354GP-BP 数据手册

 浏览型号RA354GP-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RA354GP-BP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
Micro Commercial Components  
RA351  
THRU  
RA357  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Features  
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
Low Leakage and Low cost  
35Amp Standard  
Rectifier  
50 to 1000 Volts  
•
•
•
•
•
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
For Automotive Applications  
Maximum Ratings  
RA  
•
•
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
A
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Recurrent  
Peak  
Reverse  
Voltage  
50V  
Maximum Maximum  
DC  
RMS  
Voltage  
Blocking  
Voltage  
RA351  
RA352  
RA353  
RA354  
RA355  
RA356  
RA357  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
35V  
70V  
50V  
100V  
200V  
400V  
600V  
800V  
1000V  
100V  
200V  
140V  
280V  
420V  
560V  
700V  
400V  
600V  
E
C
800V  
1000V  
D
B
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
35A  
T = 125°C  
c
Peak Forward Surge  
Current  
Maximum  
Instantaneous  
Forward Voltage  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
IFSM  
500A 8.3ms, half sine  
DIMENSIONS  
MM  
VF  
1.0V  
IFM = 35A;  
TJ = 25°C*  
INCHES  
MIN  
DIM  
A
MAX  
.410  
.185  
.220  
.250  
5'  
MIN  
9.70  
4.20  
5.50  
6.00  
---  
MAX  
10.40  
4.70  
5.70  
6.40  
5'  
NOTE  
.380  
.165  
.215  
.234  
----  
B
IR  
5.0 µA TJ = 25°C  
C
D
150µA  
TJ = 100 °C  
E
Typical Junction  
Capacitance  
CJ  
100pF  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
*Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%  
Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7.  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 5  
2008/06/24  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		DIODE 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, RA, 2 PIN, Rectifier Diode

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