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R712XE3

更新时间: 2024-11-08 10:09:19
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美高森美 - MICROSEMI 快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 91K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon,

R712XE3 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.64其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
应用:FAST RECOVERY外壳连接:ANODE AND CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.4 V
JESD-30 代码:O-MBFM-P2最大非重复峰值正向电流:150 A
元件数量:2相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:15 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向电流:5000 µA最大反向恢复时间:0.2 µs
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOMBase Number Matches:1

R712XE3 数据手册

  

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