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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> R5007ANX
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R5007ANX

更新时间： 2024-02-03 01:48:58
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲驱动局域网
页数 文件大小 规格书
6页 281K
描述
10V Drive Nch MOSFET

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R5007ANX 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220FM, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：8.45
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：3.5 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：1.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

R5007ANX 数据手册

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10V Drive Nch MOSFET  
R5007ANX  
Structure  
Dimensions (Unit : mm)  
Silicon N-channel MOSFET  
TO-220FM  
10.0  
φ
3.2  
4.5  
2.8  
Features  
1) Low on-resistance.  
2) Fast switching speed.  
1.2  
3) Wide SOA (safe operating area).  
4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.  
5) Drive circuits can be simple.  
6) Parallel use is easy.  
1.3  
0.8  
(1)Base  
2.54  
2.54  
0.75  
2.6  
(2)Collector  
( ) ( ) ( )  
1 2 3  
(3)Emitter  
Applications  
Switching  
Packaging specifications  
Inner circuit  
Package  
Bulk  
−
Code  
Type Basic ordering unit (pieces)  
R5007ANX  
500  
∗1  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
(1)  
(1) Gate  
(2) Drain  
(2)  
(3)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Limits  
Symbol  
Unit  
V
500  
VDSS  
GSS  
∗1 Body Diode  
(3) Source  
30  
V
V
∗3  
∗1  
∗3  
∗1  
Continuous  
Pulsed  
7
I
D
A
Drain current  
28  
I
DP  
A
Continuous  
Pulsed  
7
I
S
A
Source current  
(Body Diode)  
28  
3.5  
I
SP  
AS  
AS  
A
∗2  
∗2  
Avalanche Current  
Avalanche Energy  
A
I
3.2  
E
mJ  
W
°C  
°C  
Total power dissipation (Tc=25°C)  
40  
P
D
Channel temperature  
150  
Tch  
Range of storage temperature  
−55 to +150  
Tstg  
∗1 Pw≤10μs, Duty cycle≤1%  
∗2 L 500μH, VDD=50V, R =25Ω, Starting, Tch=25°C  
G
∗3 Limited only by maximum tempterature allowed  
Thermal resistance  
Parameter  
Symbol  
Limits  
3.13  
Unit  
Channel to case  
Rth(ch-c)  
°C/W  
www.rohm.com  
2010.01 - Rev.B  
1/5  
c
○ 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123456

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