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R5009ANJTL

更新时间： 2024-09-30 20:02:27

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	2997K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.72ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LPTS, 3 PIN

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R5009ANJTL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	LPTS, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.63	雪崩能效等级（Eas）：	5.4 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.72 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

R5009ANJTL 数据手册

R5009ANJ

ꢀꢀNch 500V 9A Power MOSFET

Datasheet

ꢀꢀ

llOutline

LPT(S)

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

V_DSS

500V

0.72Ω

±9A

ꢀ

R_DS(on)(Max.)

ꢀ

I_D

SC-83

ꢀ

P_D

50W

TO-263

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

llInner circuit

llFeatures

1) Low on-resistance.

2) Fast switching speed.

3) Gate-source voltage (V

ꢀꢀto be ±30V.

) guaranteed

GSS

4) Drive circuits can be simple.

5) Parallel use is easy.

6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

llPackaging specifications

Embossed

Tape

Packing

Reel size (mm)

330

llApplication

Tape width (mm)

Type

Switching Power Supply

Basic ordering unit (pcs)

Taping code

1000

Marking

R5009ANJ

llAbsolute maximum ratings (T_a= 25°C)

Parameter

Symbol

Value

500

Unit

V_DSS

Drain - Source voltage

T_C= 25°C

T_C= 100°C

I_D

±9

Continuous drain current

I_D

±4.3

±36

I_D,pulse

Pulsed drain current

V_GSS

Gate - Source voltage

±30

E_AS

Avalanche energy, single pulse

Avalanche energy, repetitive

Avalanche current

5.4

E_AR

3.5

I_AR

4.5

Power dissipation (T_c= 25°C)

P_D

T_j

℃

V/ns

Junction temperature

150

T_stg

Range of storage temperature

Reverse diode dv/dt

-55 to +150

dv/dt

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

www.rohm.com

ꢀ ꢀ

1/13

20150730 - Rev.001

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
R5009ANX	ROHM	完全替代	10V Drive Nch MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
R5009ANX	ROHM	获取价格	10V Drive Nch MOSFET
R5009FNX	ROHM	获取价格	10V Drive Nch MOSFET
r500bt	ETC	获取价格	COMPONEX mINI-mETERS - STOCK RANGE
R500CH20C2G1	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4980 A, 2000 V, SCR, 101A281, 3 PIN
R500CH20C2G2	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4980 A, 2000 V, SCR, 101A281, 3 PIN
R500CH20C2G3	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4980A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, 101A281
R500CH20C2G4	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4980 A, 2000 V, SCR, 101A281, 3 PIN
R500CH20C2G5	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4980 A, 2000 V, SCR, 101A281, 3 PIN
R500CH20C2G7	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4980 A, 2000 V, SCR, 101A281, 3 PIN
R500CH20C2G9	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4980A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, 101A28

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