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R5009ANX

更新时间： 2024-09-30 06:06:27
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 驱动
页数 文件大小 规格书
6页 270K
描述
10V Drive Nch MOSFET

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R5009ANX 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：8.44
雪崩能效等级（Eas）：5.4 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：0.72 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

R5009ANX 数据手册

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10V Drive Nch MOSFET  
R5009ANX  
zStructure  
zDimensions (Unit : mm)  
TO-220FM  
Silicon N-channel MOSFET  
10.0  
φ3.2  
4.5  
2.8  
zFeatures  
1) Low on-resistance.  
1.2  
1.3  
2) Fast switching speed.  
3) Wide SOA (safe operating area).  
4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V.  
5) Drive circuits can be simple.  
6) Parallel use is easy.  
0.8  
(1)Base  
2.54  
2.54  
0.75  
2.6  
(2)Collector  
(3)Emitter  
( ) ( ) ( )  
1 2 3  
zApplications  
zInner circuit  
Switching  
∗1  
zPackaging specifications  
Package  
Bulk  
−
Code  
Type Basic ordering unit (pieces)  
R5009ANX  
500  
(1)  
(1) Gate  
(2) Drain  
(2)  
(3)  
∗1 Body Diode  
(3) Source  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Limits  
Symbol  
Unit  
V
500  
VDSS  
GSS  
30  
V
V
∗3  
∗1  
∗3  
∗1  
Continuous  
Pulsed  
9
I
D
A
Drain current  
36  
I
DP  
A
Continuous  
Pulsed  
9
I
S
A
Source current  
(Body Diode)  
36  
4.5  
I
SP  
AS  
AS  
A
∗2  
∗2  
Avalanche Current  
Avalanche Energy  
A
I
5.4  
E
mJ  
W
°C  
°C  
Total power dissipation (Tc=25°C)  
50  
P
D
Channel temperature  
150  
Tch  
Range of storage temperature  
−55 to +150  
Tstg  
∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%  
∗2 L 500µH, VDD=50V, R =25Ω, Starting, Tch=25°C  
G
∗3 Limited only by maximum tempterature allowed  
zThermal resistance  
Parameter  
Symbol  
Limits  
2.5  
Unit  
Channel to case  
Rth(ch-c)  
°C/W  
www.rohm.com  
c
2009.02 - Rev.A  
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/5  
123456

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R5009ANX 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
R5009ANJTL ROHM

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.72ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
KF9N50P KEC

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FQI9N50C FAIRCHILD

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R500CH20C2G1 IXYS

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R500CH20C2G2 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4980 A, 2000 V, SCR, 101A281, 3 PIN
R500CH20C2G3 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4980A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, 101A281
R500CH20C2G4 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4980 A, 2000 V, SCR, 101A281, 3 PIN
R500CH20C2G5 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4980 A, 2000 V, SCR, 101A281, 3 PIN
R500CH20C2G7 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4980 A, 2000 V, SCR, 101A281, 3 PIN
R500CH20C2G9 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4980A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, 101A28
R500CH20C2H1 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4980 A, 2000 V, SCR, 101A281, 3 PIN

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