5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.11 | 标称电路换相断开时间： | 20 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 300 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 1000 mA |
| 最大漏电流： | 100 mA | 通态非重复峰值电流： | 19000 A |
| 最大通态电压： | 1.7 V | 最大通态电流： | 1870000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 断态重复峰值电压： | 1000 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R400CH12 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2943 A, 1200 V, SCR |
|
| R400CH12CG0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),1.87KA I(T),TO-200 |
|
| R400CH12CG3 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2943 A, 1200 V, SCR |
|
| R400CH12CG4 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2943 A, 1200 V, SCR |
|
| R400CH12CG5 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2943A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
|
| R400CH12CG6 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2943 A, 1200 V, SCR |
|
| R400CH12CG7 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2943 A, 1200 V, SCR |
|
| R400CH12CG8 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2943A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 960V V(RRM), 1 Element |
|
| R400CH12CG9 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2943A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1080V V(RRM), 1 Element |
|
| R400CH12CH0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),1.87KA I(T),TO-200 |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
