5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | FAST |
| 标称电路换相断开时间： | 35 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 100 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 300 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 2943 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 150000 µA |
| 断态重复峰值电压： | 400 V | 重复峰值反向电压： | 360 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R400CH04EGO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2273.36A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element |
|
| R400CH04EH0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),1.87KA I(T),TO-200A |
|
| R400CH04EH6 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2943 A, 400 V, SCR |
|
| R400CH04EH8 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2943A I(T)RMS, 400V V(DRM), 320V V(RRM), 1 Element |
|
| R400CH04EH9 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2943A I(T)RMS, 400V V(DRM), 360V V(RRM), 1 Element |
|
| R400CH04EHO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2273.36A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element |
|
| R400CH04EJ0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),1.87KA I(T),TO-200A |
|
| R400CH04EJ5 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2943 A, 400 V, SCR |
|
| R400CH04EJ6 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2943 A, 400 V, SCR |
|
| R400CH04EJ7 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2943A I(T)RMS, 400V V(DRM), 280V V(RRM), 1 Element |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
