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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | FAST |
| 标称电路换相断开时间： | 20 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 300 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 2496 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 150000 µA |
| 断态重复峰值电压： | 1200 V | 重复峰值反向电压： | 480 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R350CH12FK5 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2496A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
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| R350CH12FK6 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2496 A, 1200 V, SCR |
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| R350CH12FK7 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2496 A, 1200 V, SCR |
|
| R350CH12FK8 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2496A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 960V V(RRM), 1 Element |
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| R350CH12FK9 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2496 A, 1200 V, SCR |
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| R350CH12FKO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1902.84 A, 1200 V, SCR |
|
| R350CHX | ETC |
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DISTRIBUTED GATE THYRISTORS |
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| R3510 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 70A, Silicon, DO-5, |
|
| R35100 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
|
| R35100E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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