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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | FAST |
| 标称电路换相断开时间： | 25 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 50 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 300 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 2398 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 150000 µA |
| 断态重复峰值电压： | 800 V | 重复峰值反向电压： | 480 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R325CH08DJ7 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2398A I(T)RMS, 892000mA I(T), 800V V(DRM), 560V V(RRM), 1 El |
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| R325CH08DJO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1852.6A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element |
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| R325CH08DK0 | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 1520000mA I(T), 800V V(DRM), |
|
| R325CH08E2K3 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2398A I(T)RMS, 800V V(DRM), 240V V(RRM), 1 Element |
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| R325CH08E2K6 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 800 V, SCR |
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| R325CH08E2K7 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 800 V, SCR |
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| R325CH08E2K8 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2398A I(T)RMS, 800V V(DRM), 640V V(RRM), 1 Element |
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| R325CH08E2K9 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2398A I(T)RMS, 800V V(DRM), 720V V(RRM), 1 Element |
|
| R325CH08E2KO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1852.6A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element |
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| R325CH08EG0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),1.52KA I(T),TO-200A |
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