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R325CH08DJ7

更新时间： 2024-11-19 03:53:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
12页 282K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2398A I(T)RMS, 892000mA I(T), 800V V(DRM), 560V V(RRM), 1 Element,

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R325CH08DJ7 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84其他特性：FAST
标称电路换相断开时间：25 µs配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：50 V/us最大直流栅极触发电流：300 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：1000 mA
JESD-30 代码：O-CEDB-N2最大漏电流：150 mA
通态非重复峰值电流：18700 A元件数量：1
端子数量：2最大通态电流：892000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：2398 A重复峰值关态漏电流最大值：150000 µA
断态重复峰值电压：800 V重复峰值反向电压：560 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：END
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

R325CH08DJ7 数据手册

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Date:- 21 Dec, 2000  
Data Sheet Issue:- 1  
WESTCODE  
Distributed Gate Thyristor  
Types R325CH02 to R325CH14  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
200-1400  
V
V
V
V
200-1400  
200-1400  
300-1500  
MAXIMUM  
LIMITS  
1178  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
A
A
767  
433  
A
2395  
892  
A
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
17  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
≤
18.7  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM 10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM 10V, (note 5)  
1.45×106  
1.75×106  
1000  
1500  
5
I2t  
≤
Maximum rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Maximum rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
diT/dt  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
Mean forward gate power  
2
W
Peak forward gate power  
30  
W
Non-trigger gate voltage, (Note 7)  
Operating temperature range  
0.25  
V
THS  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
≤
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr 0.5µs, Tcase=125°C.  
7) Rated VDRM  
.
Data Sheet. Types R325CH02 to R325CH14 Issue 1  
Page 1 of 12  
December, 2000  
1234567...12

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与R325CH08DJ7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R325CH08DJO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1852.6A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element
R325CH08DK0 LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1520000mA I(T), 800V V(DRM),
R325CH08E2K3 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2398A I(T)RMS, 800V V(DRM), 240V V(RRM), 1 Element
R325CH08E2K6 IXYS

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R325CH08E2K7 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1852.6A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element
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 		Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),1.52KA I(T),TO-200A
R325CH08EG3 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 800 V, SCR

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