生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-5 |
包装说明: | DO-5, 1 PIN | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.64 |
其他特性: | EXCELLENT RELIABILITY | 应用: | POWER |
外壳连接: | ANODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.19 V | JEDEC-95代码: | DO-203AB |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 800 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 40 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 800 V |
最大反向电流: | 40 µA | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N3765R | VISHAY |
功能相似 ![]() |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 700V V(RRM), Silicon, DO-203AB, ROHS COMPLIANT, |
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NTE5999 | NTE |
功能相似 ![]() |
NTE5906, NTE5907, NTE5980 thru NTE6005 Silicon Power Rectifier Diode, 40 Amp |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
R30410 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 40A, Silicon, DO-5, |
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R304100 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
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R304100E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 |
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R304120 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
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R30420 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
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R30420E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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R30431 | ITF |
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SAW Resonator |
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R30440 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
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R30460 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
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R30460E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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