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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | FAST |
| 标称电路换相断开时间： | 25 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 300 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | JEDEC-95代码： | TO-200AC |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 1950 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 70000 µA | 断态重复峰值电压： | 1000 V |
| 重复峰值反向电压： | 300 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R220CH10FJ4 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1950A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| R220CH10FJ5 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1950A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| R220CH10FJ6 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1950A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| R220CH10FJ7 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1950A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 700V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| R220CH10FJ9 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1950A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 900V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| R220CH10FJO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1505.63A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO- |
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| R220CH10FK2 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1950 A, 1000 V, SCR, TO-200AC |
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| R220CH10FK4 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1950A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| R220CH10FK5 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1950A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| R220CH10FK6 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1950 A, 1000 V, SCR, TO-200AC |
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