5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | FAST |
| 标称电路换相断开时间： | 60 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 20 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 300 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | JEDEC-95代码： | TO-200AC |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 1765 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 70000 µA | 断态重复峰值电压： | 1200 V |
| 重复峰值反向电压： | 600 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R200CH12C2H6 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1765A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 720V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
|
| R200CH12C2H8 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1765 A, 1200 V, SCR, TO-200AC |
|
| R200CH12C2H9 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1765 A, 1200 V, SCR, TO-200AC |
|
| R200CH12C2HO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1381.6 A, 1200 V, SCR, TO-200AC |
|
| R200CH12CE0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),1.08KA I(T),TO-200 |
|
| R200CH12CE2 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1765 A, 1200 V, SCR, TO-200AC |
|
| R200CH12CE4 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1765A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 480V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
|
| R200CH12CE5 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1765A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
|
| R200CH12CE6 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1765 A, 1200 V, SCR, TO-200AC |
|
| R200CH12CE7 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1765A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 840V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
