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R2000F-13 PDF预览

R2000F-13

更新时间： 2024-11-12 21:04:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 229K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

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R2000F-13 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-41
包装说明：PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.15
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：0.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：2000 V
最大反向恢复时间：0.5 µs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

R2000F-13 数据手册

 浏览型号R2000F-13的Datasheet PDF文件第2页 
R1500F - R3000F  
HIGH VOLTAGE RECTIFIER  
D
UE  
IN  
NT  
O
SC  
DI  
Features  
·
·
·
High Voltage to 3000V with Low Leakage  
1.5kV to 3kV VRRM  
Plastic Package - UL Recognition Flammability  
Classification 94V-0  
A
B
A
C
D
Mechanical Data  
·
Case: DO-41 Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band  
Approx. Weight: 0.35 grams  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
DO-41 Plastic  
Min  
·
Dim  
A
Max  
—
25.40  
4.06  
·
·
·
·
B
5.21  
0.884  
2.72  
C
0.71  
D
2.00  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
R1500F  
1500  
R2000F  
2000  
R3000F  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
3000  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
1050  
1400  
2100  
200  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
500  
30  
@ TL = 55°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
VFM  
25  
A
Forward Voltage  
@ IF = 500mA  
@ IF = 200mA  
2.0  
—
3.0  
—
—
6.0  
V
IRM  
Cj  
µA  
pF  
ns  
°C  
Peak Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
5.0  
9.0  
6.0  
trr  
Typical Reverse Recovery Time (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
500  
Tj, TSTG  
-65 to +125  
Notes:  
1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Measured with IF = 0.5A, IR = -1A, Irr = -0.25A  
DS21102 Rev. 9 - 4  
1 of 2  
R1500F-R3000F  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
12

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与R2000F-13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R2000F-B DIODES

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN
R2000FG RECTRON

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 		Reverse Voltage Vr : 2000 V;Forward Current Io : 0.5 A;Max Surge Current : 20 A;Forward Vo
R2000FGP MCC

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 		Tape : 5K/Reel, 20K/Ctn; Bulk: 1K/Box, 50K/Ctn; T/B: 5K/Ammo Box, 50K/Ctn.;
R2000FH02 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-1 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-2 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-3 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-4 RECTRON

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R2000FH02-5 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH03-1 RECTRON

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