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R0878LS16L

更新时间： 2024-01-29 09:33:31

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IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
12页	347K
描述
Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 1600V V(DRM), 1300V V(RRM), 1 Element

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R0878LS16L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.92	标称电路换相断开时间：	65 µs
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us
最大直流栅极触发电流：	300 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
最大维持电流：	1000 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
最大漏电流：	70 mA	通态非重复峰值电流：	7500 A
元件数量：	1	端子数量：	4
最大通态电流：	1456000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1765 A	断态重复峰值电压：	1600 V
重复峰值反向电压：	1300 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	ASSYMETRIC SCR	Base Number Matches：	1

R0878LS16L 数据手册

WESTCODE ^{Positive development in power electronics}

R0878LS16x to R0878LS21x

10.0 On-State Energy per Pulse Characteristics

These curves enable rapid estimation of device dissipation to be obtained for conditions not covered by

the frequency ratings.

Let E_pbe the Energy per pulse for a given current and pulse width, in joules

Let R_th(J-Hs)be the steady-state d.c. thermal resistance (junction to sink)

and T_SINKbe the heat sink temperature.

Then the average dissipation will be:

= ⋅

−

(

⋅

)

W_AVE_Pf and T_{SINK (max.)}125 W_AVR_th

(

J −Hs

)

11.0 Reverse recovery ratings

(i) Q_rais based on 50% I_rmchord as shown in Fig. 1 below.

Fig. 1

(ii) Q_rris based on a 150 s integration time.

150µs

Q_rr= i_rr.dt

∫

i.e.

K Factor =

(iii)

12.0 Reverse Recovery Loss

12.1 Determination by Measurement

From waveforms of recovery current obtained from a high frequency shunt (see Note 1, Page 5) and

reverse voltage present during recovery, an instantaneous reverse recovery loss waveform must be

constructed. Let the area under this waveform be E joules per pulse. A new heat sink temperature can

then be evaluated from:

− ⋅

(

+ ⋅

)

T_{SINK (new)}T_{SINK (original)}E k f R_th

(

J −Hs

)

where k = 0.227 (°C/W)/s

E = Area under reverse loss waveform per pulse in joules (W.s.)

f = rated frequency Hz at the original heat sink temperature.

R_th(J-Hs)= d.c. thermal resistance (°C/W).

Data Sheet. Types R0878LS16x to R0878LS21x Issue 1

Page 4 of 12

June, 2001

1 2 345 6 7...12

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与R0878LS16L相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
R0878LS16M	IXYS	Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 1600V V(DRM), 1300V V(RRM), 1 Element	获取价格
R0878LS18L	IXYS	Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 1800V V(DRM), 1500V V(RRM), 1 Element	获取价格
R0878LS20K	IXYS	Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 2000V V(DRM), 1700V V(RRM), 1 Element,	获取价格
R0878LS20L	IXYS	Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 2000V V(DRM), 1700V V(RRM), 1 Element,	获取价格
R0878LS20M	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 1765 A, 2000 V, ASSYMETRIC SCR	获取价格
R0878LS21K	IXYS	Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 2100V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,	获取价格

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