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R0878LS16L

更新时间： 2024-02-17 05:50:30

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IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
12页	347K
描述
Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 1600V V(DRM), 1300V V(RRM), 1 Element

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R0878LS16L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.92	标称电路换相断开时间：	65 µs
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us
最大直流栅极触发电流：	300 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
最大维持电流：	1000 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
最大漏电流：	70 mA	通态非重复峰值电流：	7500 A
元件数量：	1	端子数量：	4
最大通态电流：	1456000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1765 A	断态重复峰值电压：	1600 V
重复峰值反向电压：	1300 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	ASSYMETRIC SCR	Base Number Matches：	1

R0878LS16L 数据手册

WESTCODE ^{Positive development in power electronics}

R0878LS16x to R0878LS21x

Curves

Figure 1 - On-state characteristics of Limit device

Figure 2 - Transient thermal impedance

10000

0.1

SSC 0.064K/W

T_j= 125°C

DSC 0.032K/W

0.01

1000

0.001

0.0001

0.00001

R0878LS16x-21x

Issue 1

R0878LS16x-21x

Issue 1

100

0.0001 0.001

0.01

0.1

Time (s)

100

Instantaneous on-state voltage - V_T(V)

Figure 3 - Gate characteristics - Trigger limits

Figure 4 - Gate characteristics - Power curves

R0878LS16x-21x

Issue 1

T_j=25°C

Max V_Gdc

I_GT, V_GT

P_GMax 30W dc

P_G2W dc

I_GD, V_GD

Min V_Gdc

0.2

0.4

0.6

0.8

Gate Trigger Current - I_GT(A)

Data Sheet. Types R0878LS16x to R0878LS21x Issue 1

Page 7 of 12

June, 2001

1...4 5 678 9 10...12

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与R0878LS16L相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
R0878LS16M	IXYS	Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 1600V V(DRM), 1300V V(RRM), 1 Element	获取价格
R0878LS18L	IXYS	Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 1800V V(DRM), 1500V V(RRM), 1 Element	获取价格
R0878LS20K	IXYS	Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 2000V V(DRM), 1700V V(RRM), 1 Element,	获取价格
R0878LS20L	IXYS	Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 2000V V(DRM), 1700V V(RRM), 1 Element,	获取价格
R0878LS20M	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 1765 A, 2000 V, ASSYMETRIC SCR	获取价格
R0878LS21K	IXYS	Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 2100V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,	获取价格