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R0878LS16L

更新时间： 2024-02-04 15:27:12
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
12页 347K
描述
Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 1600V V(DRM), 1300V V(RRM), 1 Element

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R0878LS16L 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.92标称电路换相断开时间：65 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us
最大直流栅极触发电流：300 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：1000 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X4
最大漏电流：70 mA通态非重复峰值电流：7500 A
元件数量：1端子数量：4
最大通态电流：1456000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：1765 A断态重复峰值电压：1600 V
重复峰值反向电压：1300 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：ASSYMETRIC SCRBase Number Matches：1

R0878LS16L 数据手册

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WESTCODE Positive development in power electronics  
R0878LS16x to R0878LS21x  
Characteristics  
PARAMETER  
MIN.  
TYP. MAX. TEST CONDITIONS  
UNITS  
(Note 1)  
VTM  
V0  
Maximum peak on-state voltage  
Threshold voltage  
-
-
2.12 ITM=1400A  
1.447  
V
V
-
-
rs  
Slope resistance  
-
-
-
0.480  
Ω
m
dv/dt  
IDRM  
IRRM  
VGT  
IGT  
IH  
Critical rate of rise of off-state voltage  
Peak off-state current  
Peak reverse current  
Gate trigger voltage  
200  
-
VD=80% VDRM, linear ramp  
µ
V/ s  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
70  
Rated VDRM  
Rated VRRM  
mA  
mA  
V
-
70  
-
3.0  
300  
Tj=25°C  
VD=10V, IT=3A  
Gate trigger current  
-
mA  
mA  
µs  
Holding current  
-
1000 Tj=25°C  
tgt  
Gate-controlled turn-on delay time  
Turn-on time  
0.8  
1.5  
720  
350  
160  
4.4  
2.0  
3.5  
-
VD=67% VDRM, IT=1500A, di/dt=60A/µs,  
I
FG=2A, tr=0.5µs, Tj=25°C  
tgd  
µs  
Qrr  
Qra  
Irr  
Recovered charge  
µC  
µC  
A
Recovered charge, 50% Chord  
Reverse recovery current  
Reverse recovery time  
400  
-
I
TM=1000A, tp=1000µs, di/dt=60A/µs,  
Vr=50V  
trr  
-
µs  
I
TM=1000A, tp=1000µs, di/dt=60A/µs,  
-
-
-
65  
70  
Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/µs  
ITM=1000A, tp=1000µs, di/dt=60A/µs,  
Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=200V/µs  
tq  
Turn-off time (note 2)  
µs  
60  
-
-
-
0.032 Double side cooled  
K/W  
K/W  
kN  
Rth(j-hs) Thermal resistance, junction to heatsink  
-
-
0.064 Single side cooled  
F
Mounting force  
Weight  
10  
-
20  
-
Wt  
340  
g
Notes:-  
1) Unless otherwise indicated Tj=125°C.  
2) The required tq (specified with dVdr/dt=200V/µs) is represented by an ‘x’ in the device part number. See ordering information  
for details of tq codes.  
Data Sheet. Types R0878LS16x to R0878LS21x Issue 1  
Page 2 of 12  
June, 2001  
1234567...12

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与R0878LS16L相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
R0878LS16M IXYS Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 1600V V(DRM), 1300V V(RRM), 1 Element

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R0878LS18L IXYS Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 1800V V(DRM), 1500V V(RRM), 1 Element

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R0878LS20K IXYS Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 2000V V(DRM), 1700V V(RRM), 1 Element,

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R0878LS20L IXYS Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 2000V V(DRM), 1700V V(RRM), 1 Element,

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R0878LS20M IXYS Silicon Controlled Rectifier, 1765 A, 2000 V, ASSYMETRIC SCR

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R0878LS21K IXYS Assymetric SCR, 1765A I(T)RMS, 1456000mA I(T), 2100V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,

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