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Datasheet > 暂无类别数据> R-11-300-P-MSC
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R-11-300-P-MSC

更新时间： 2024-11-11 06:06:19
品牌 Logo 应用领域
SOURCE 光电二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 460K
描述
InGaAs PIN Photodiode Modules

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R-11-300-P-MSC 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92主体高度：30 mm
主体长度或直径：6.3 mm连接类型：SC CONNECTOR
最大暗电源：2 nA光纤设备类型：PHOTODIODE DETECTOR
光纤类型：50/125, MMF安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
最大工作波长：1650 nm最小工作波长：1100 nm
标称工作波长：1310 nm响应度：0.85 A/W
表面贴装：NO传输类型：DIGITAL
Base Number Matches：1

R-11-300-P-MSC 数据手册

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InGaAs PIN Photodiode Modules  
R-11-300-X-XXX-XX  
Features  
• InGaAs/InP PIN Photodiode  
• High responsivity at 1310nm and 1550nm  
• Low dark current  
• Fast pulse response  
• -40~85ºC operating temperature  
• Hermetically sealed 3-pin metal case  
Packaging  
• FC/ST/SC receptacle package  
• SM/MM fiber pigtailed with optional FC/ST/SC connector  
• RoHS compliant available  
Absolute Maximum Ratings (Tc=25ºC)  
Parameter  
Symbol  
Value  
20  
Unit  
V
Supply Reverse Voltage  
VR  
Forward Current  
IF  
2
mA  
mA  
ºC  
Reverse Current  
IR  
1
Operating Temperature  
Storage Temperature  
Topr  
Tstg  
-40 ~ 85  
-40 ~ 85  
ºC  
(All optical data refer to a coupled 9/125µm SM & 50/125µm MM fiber)  
Optical and Electrical Characteristics (Tc=25ºC)  
Parameter  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Conditions  
Active Area (Dia)  
-
300  
-
µm  
-
Detection Range  
Responsivity  
1100  
1310  
0.85  
2
1650  
nm  
A/W  
nA  
-
R
Idark  
C
0.8  
-
VR=5V, λ =1310nm  
VR=5V  
Dark Current  
Capacitance  
-
-
5
6
10  
pF  
VR=5V  
Rise / Fall Time  
Bandwidth  
Tr / Tf  
BW  
-
1
-
-
-
ns  
VR=5V, 10%~90%  
VR=5V  
0.5  
GHz  
Note: 1.Pin assignment can be customized.  
2.Specifications subject to change without notice.  
LUMNDS539-MAR2007  
rev. A.0  
20550 Nordhoff St. • Chatsworth, CA 91311 • tel: 818.773.9044 • fax: 818.576.9486  
9F, No 81, Shui Lee Rd. • Hsinchu, Taiwan, R.O.C. • tel: 886.3.5169222 • fax: 886.3.5169213  
LUMINENTOIC.COM  
1
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