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R-11-055-P-S/APC-O-GR

更新时间： 2024-11-05 13:12:39

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SOURCE		光电二极管光电二极管
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3页	562K
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Photodiode Detector, 1100nm Min, 1650nm Max, Panel Mount, ROHS COMPLIANT, HEREMATICAL SEALED PACKAGE-3

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R-11-055-P-S/APC-O-GR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
主体高度：	28 mm	主体长度或直径：	6.3 mm
最大暗电源：	0.8 nA	光纤设备类型：	PHOTODIODE DETECTOR
光纤类型：	9/125, SMF	安装特点：	PANEL MOUNT
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大工作波长：	1650 nm	最小工作波长：	1100 nm
标称工作波长：	1310 nm	响应度：	0.8 A/W
最小回损：	40 dB	表面贴装：	NO
传输类型：	DIGITAL	Base Number Matches：	1

R-11-055-P-S/APC-O-GR 数据手册

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55um InGaAs PIN Photodiode

Modules-pigtailed

R-11-055X-P-SXX/XXX-X-XX

Features

• InGaAs/InP PIN Photodiode

• High responsivity at 1310nm and 1550nm

• Low dark current

• Low intermodulation distortion

• High responsivity

• Hermetically sealed 3-pin metal case

• SM ﬁber pigtailed with optional FC/ST/SC connector

• RoHS Compliant available

Absolute Maximum Ratings (Tc=25ºC)

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Supply Reverse voltage

V_R

Forward Current

I_F

ºC

Reverse Current

I_R

Operating Temperature

Storage Temperature

T_opr

T_stg

-40 ~ +85

ºC

(All optical data refer to a coupled 9/125µm SM ﬁber)

Optical and Electrical Characteristics (Tc=25ºC)

Parameter

Active Area (Dia)

Detection Range

Responsivity

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

µm

A/W

Test Conditions

1100

1310

1650

0.75

0.8

V_R=5V, λ=1310nm

V_R=5V

Dark Current

Capacitance

I_dark

C_t

0.8

V_R=5V

Rise/Fall Time

Bandwidth

t_r/t_f

ORL

0.3

V_R=5V, 10%~90%

V_R=5V

GHz

Optical Return Loss

λ=1310nm

Note: 1.Speciﬁcations subject to change without notice.

LUMNDS801-DEC1406

rev. A.1

20550 Nordhoff St. • Chatsworth, CA 91311 • tel: 818.773.9044 • fax: 818.576.9486

9F, No 81, Shui Lee Rd. • Hsinchu, Taiwan, R.O.C. • tel: 886.3.5169222 • fax: 886.3.5169213

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