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QID1210002

更新时间： 2024-02-19 06:21:58
品牌 Logo 应用领域
POWEREX 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 566K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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QID1210002 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.81外壳连接：ISOLATED
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-PUFM-X7元件数量：2
端子数量：7最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

QID1210002 数据手册

 浏览型号QID1210002的Datasheet PDF文件第1页浏览型号QID1210002的Datasheet PDF文件第2页浏览型号QID1210002的Datasheet PDF文件第3页 
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane,Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272  
QID1210002  
Dual IGBTMOD™ NFH-Series Module  
Custom 100 Amperes/1200 Volts  
HALF-BRIDGE  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
GATE CHARGE VS. V  
GE  
103  
103  
103  
102  
20  
16  
V
V
R
= 600V  
= 15V  
= 3.1Ω  
I = 100A  
C
CC  
GE  
G
t
V
= 400V  
d(off)  
CC  
T = 25°C  
j
Inductive Load  
V
= 600V  
CC  
12  
8
t
d(on)  
102  
102  
t
f
t
r
101  
V
V
= 600V  
= 15V  
CC  
GE  
4
R
= 3.1Ω  
G
I
t
rr  
rr  
T = 125°C  
j
Inductive Load  
101  
103  
100  
101  
0
101  
102  
103  
101  
102  
100 200 300 400 500 600 700  
0
COLLECTOR CURRENT, I , (AMPERES)  
EMITTER CURRENT, I , (AMPERES)  
GATE CHARGE, Q , (nC)  
C
E
G
SWITCHING LOSS VS.  
COLLECTOR CURRENT  
(TYPICAL)  
SWITCHING LOSS VS.  
GATE RESISTANCE  
(TYPICAL)  
REVERSE RECOVERY SWITCHING LOSS VS.  
EMITTER CURRENT  
(TYPICAL)  
101  
102  
102  
V
V
I
= 600V  
CC  
=
15V  
GE  
= 100A  
C
T = 125°C  
j
Inductive Load  
C Snubber at Bus  
E
E
SW(on)  
V
V
= 600V  
= 15V  
rr  
100  
101  
101  
CC  
E
SW(off)  
GE  
R
= 3.1Ω  
G
V
V
R
= 600V  
CC  
T = 125°C  
j
=
15V  
GE  
Inductive Load  
C Snubber at Bus  
= 3.1Ω  
G
T = 125°C  
j
E
SW(on)  
Inductive Load  
C Snubber at Bus  
E
SW(off)  
10-1  
100  
100  
101  
102  
103  
100  
101  
102  
101  
102  
103  
COLLECTOR CURRENT, I , (AMPERES)  
GATE RESISTANCE, R , (Ω)  
EMITTER CURRENT, I , (AMPERES)  
C
G
E
TRANSIENT THERMAL  
IMPEDANCE CHARACTERISTICS  
(IGBT & FWDi)  
REVERSE RECOVERY SWITCHING LOSS VS.  
GATE RESISTANCE  
(TYPICAL)  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
101  
102  
100  
10-1  
10-2  
10-3  
V
V
I
= 600V  
CC  
=
15V  
GE  
= 100A  
E
T = 125°C  
j
Inductive Load  
C Snubber at Bus  
10-1  
Single Pulse  
= 25°C  
Per Unit Base =  
T
C
101  
R
=
E
th(j-c)  
rr  
10-2  
10-3  
0.22°C/W  
(IGBT)  
R
=
th(j-c)  
0.47°C/W  
(FWDi)  
100  
100  
101  
102  
10-5  
10-4  
10-3  
GATE RESISTANCE, R , (Ω)  
G
TIME, (s)  
4
11/09 Rev. 2  
1234

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