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QID1210002

更新时间： 2024-02-04 14:25:55
品牌 Logo 应用领域
POWEREX 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 566K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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QID1210002 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.81外壳连接：ISOLATED
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-PUFM-X7元件数量：2
端子数量：7最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

QID1210002 数据手册

 浏览型号QID1210002的Datasheet PDF文件第1页浏览型号QID1210002的Datasheet PDF文件第2页浏览型号QID1210002的Datasheet PDF文件第4页 
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane,Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272  
QID1210002  
Dual IGBTMOD™ NFH-Series Module  
Custom 100 Amperes/1200 Volts  
Thermal and Mechanical Characteristics, T = 25 °C unless otherwise specified  
j
Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
th(j-c)  
Q
Per IGBT 1/ꢀ Module, T Reference  
C
—
—
0.ꢀꢀ  
°C/W  
Point per Outline Drawing  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
D
Per FWDi 1/ꢀ Module, T Reference  
C
—
—
—
—
—
—
0.47  
0.17  
0.ꢀ9  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
th(j-c)  
Point per Outline Drawing  
Per IGBT 1/ꢀ Module,  
R
R
'Q  
'D  
th(j-c)  
T
Reference Point Under Chips  
C
Per FWDi 1/ꢀ Module, T Reference  
C
th(j-c)  
Point per Outline Drawing  
Contact Thermal Resistance  
External Gate Resistance  
R
Per 1/ꢀ Module, Thermal Grease Applied  
—
0.07  
—
—
°C/W  
Ω
th(c-f)  
R
G
3.1  
31  
COLLECTOR-EMITTER  
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
OUTPUT CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
TRANSFER CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
200  
200  
9
8
7
14  
V
= 20V  
15  
T = 25°C  
j
V
= 10V  
V
= 15V  
GE  
GE  
GE  
T = 25°C  
j
T = 25°C  
13  
12  
j
T = 125°C  
T = 125°C  
j
j
150  
100  
50  
150  
100  
50  
6
5
4
3
2
1
0
11  
10  
9
8
0
0
5
50  
0
2
4
6
8
10  
0
10  
15  
20  
0
100  
150  
200  
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V , (VOLTS)  
GATE-EMITTER VOLTAGE, V , (VOLTS)  
COLLECTOR-CURRENT, I , (AMPERES)  
CE  
GE  
C
COLLECTOR-EMITTER  
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
FREE-WHEEL DIODE  
FORWARD CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
CAPACITANCE VS. V  
CE  
(TYPICAL)  
103  
102  
101  
100  
10-1  
10  
V
= 0V  
T = 25°C  
j
T = 25°C  
j
GE  
T = 125°C  
j
I
= 200A  
C
8
C
C
ies  
6
I
I
= 100A  
= 40A  
C
C
102  
4
oes  
2
C
res  
0
101  
6
8
10 12 14 16 18 20  
0
1
2
3
4
5
10-1  
100  
101  
102  
GATE-EMITTER VOLTAGE, V , (VOLTS)  
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V , (VOLTS)  
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V , (VOLTS)  
GE  
EC  
CE  
11/09 Rev. 2  
3
1234

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