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QH25F016S33B8

更新时间: 2024-11-25 20:58:27
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
42页 819K
描述
Flash, 16MX1, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8

QH25F016S33B8 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP, SOP8,.3
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.62启动块:BOTTOM
最大时钟频率 (fCLK):68 MHz耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:5.23 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:1
功能数量:1端子数量:8
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:16MX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3/3.3 V
编程电压:2.7 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.159 mm串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.00007 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.045 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
类型:NOR TYPE宽度:5.23 mm
写保护:HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches:1

QH25F016S33B8 数据手册

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