5秒后页面跳转
QB25F016S33B8 PDF预览

QB25F016S33B8

更新时间: 2024-01-22 10:15:51
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
42页 819K
描述
Flash, 16MX1, PDSO8, SOIC-8

QB25F016S33B8 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP, SOP8,.3
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.72启动块:BOTTOM
最大时钟频率 (fCLK):68 MHz耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:S-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:5.232 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:1
功能数量:1端子数量:8
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:16MX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.3封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3/3.3 V
编程电压:2.7 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.159 mm串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.00007 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.045 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
类型:NOR TYPE宽度:5.232 mm
写保护:HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches:1

QB25F016S33B8 数据手册

 浏览型号QB25F016S33B8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号QB25F016S33B8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号QB25F016S33B8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号QB25F016S33B8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号QB25F016S33B8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号QB25F016S33B8的Datasheet PDF文件第7页 
Security  

与QB25F016S33B8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
QB25F160S33B8 INTEL

获取价格

Flash, 16MX1, PDSO16, SOIC-16
QB25F640S33B8 INTEL

获取价格

Flash, 64MX1, PDSO16, SOIC-16
QB26 AMPHENOL

获取价格

Ring Terminal
QB-262 SPECTRUM

获取价格

Wide Band Medium Power Amplifier, 10MHz Min, 500MHz Max,
QB-262B SPECTRUM

获取价格

Wide Band Medium Power Amplifier, 10MHz Min, 500MHz Max,
QB28 AMPHENOL

获取价格

Ring Terminal
QB28-2 AMPHENOL

获取价格

Wire Terminal
QB28-2N AMPHENOL

获取价格

Wire Terminal
QB2GIBC EMERSON-NETWORKPOWER

获取价格

2nd Generation IBC
QB-300 SPECTRUM

获取价格

RF AMPLIFIER