是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP16,.4 |
针数: | 16 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.72 | 启动块: | BOTTOM |
最大时钟频率 (fCLK): | 68 MHz | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G16 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 10.338 mm | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 16 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 64MX1 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP16,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 3/3.3 V |
编程电压: | 2.7 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.642 mm | 串行总线类型: | SPI |
最大待机电流: | 0.00007 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.045 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 7.52 mm |
写保护: | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
QB26 | AMPHENOL |
获取价格 |
Ring Terminal | |
QB-262 | SPECTRUM |
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Wide Band Medium Power Amplifier, 10MHz Min, 500MHz Max, | |
QB-262B | SPECTRUM |
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Wide Band Medium Power Amplifier, 10MHz Min, 500MHz Max, | |
QB28 | AMPHENOL |
获取价格 |
Ring Terminal | |
QB28-2 | AMPHENOL |
获取价格 |
Wire Terminal | |
QB28-2N | AMPHENOL |
获取价格 |
Wire Terminal | |
QB2GIBC | EMERSON-NETWORKPOWER |
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2nd Generation IBC | |
QB-300 | SPECTRUM |
获取价格 |
RF AMPLIFIER | |
QB-300-02 | APITECH |
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Wide Band Medium Power Amplifier, 1MHz Min, 300MHz Max, | |
QB-300-182 | SPECTRUM |
获取价格 |
Wide Band Medium Power Amplifier, 1MHz Min, 300MHz Max, |