5秒后页面跳转
QB25F640S33B8 PDF预览

QB25F640S33B8

更新时间: 2024-09-23 19:57:55
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
42页 819K
描述
Flash, 64MX1, PDSO16, SOIC-16

QB25F640S33B8 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP, SOP16,.4
针数:16Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.72启动块:BOTTOM
最大时钟频率 (fCLK):68 MHz耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G16JESD-609代码:e0
长度:10.338 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:1
功能数量:1端子数量:16
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64MX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP16,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:3/3.3 V
编程电压:2.7 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.642 mm串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.00007 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.045 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
类型:NOR TYPE宽度:7.52 mm
写保护:HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches:1

QB25F640S33B8 数据手册

 浏览型号QB25F640S33B8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号QB25F640S33B8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号QB25F640S33B8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号QB25F640S33B8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号QB25F640S33B8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号QB25F640S33B8的Datasheet PDF文件第7页 
Security  

与QB25F640S33B8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
QB26 AMPHENOL

获取价格

Ring Terminal
QB-262 SPECTRUM

获取价格

Wide Band Medium Power Amplifier, 10MHz Min, 500MHz Max,
QB-262B SPECTRUM

获取价格

Wide Band Medium Power Amplifier, 10MHz Min, 500MHz Max,
QB28 AMPHENOL

获取价格

Ring Terminal
QB28-2 AMPHENOL

获取价格

Wire Terminal
QB28-2N AMPHENOL

获取价格

Wire Terminal
QB2GIBC EMERSON-NETWORKPOWER

获取价格

2nd Generation IBC
QB-300 SPECTRUM

获取价格

RF AMPLIFIER
QB-300-02 APITECH

获取价格

Wide Band Medium Power Amplifier, 1MHz Min, 300MHz Max,
QB-300-182 SPECTRUM

获取价格

Wide Band Medium Power Amplifier, 1MHz Min, 300MHz Max,