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PZU8.2B2L

更新时间： 2024-11-28 11:08:39

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安世 - NEXPERIA		测试二极管
页数	文件大小	规格书
12页	255K
描述
Single Zener diodesProduction

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PZU8.2B2L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PBCC-N2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.5	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PBCC-N2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	8.2 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
最大电压容差：	2%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

PZU8.2B2L 数据手册

PZUxBL series

Single Zener diodes in a SOD882 package

Rev. 2 — 11 November 2019

Product data sheet

1. Product profile

1.1. General description

General-purpose Zener diodes in a SOD882 leadless ultra small Surface-Mounted Device (SMD)

plastic package.

1.2. Features

•

Non-repetitive peak rerverse power dissipation: P_ZSM≤ 40 W

Total power dissipation: P_tot≤ 250 mW

Tolerance series: B: approximately ±5 %; B2: approximately ±2 %

Wide working voltage range: nominal 2.4 V to 36 V (E24 range)

Low reverse current I_Rrange

Small plastic package suitable for surface-mounted design

AEC-Q101 qualified

1.3. Applications

•

General regulation functions

1.4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

V_F

Parameter

Conditions

Min

[1] -

Typ

Max

1.1

Unit

forward voltage

I_F= 100 mA

P_ZSM

non-repetitive peak

[2] -

reverse power dissipation

P_tot

total power dissipation

T_amb≤ 25 °C

[3] -

[4] -

250

550

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02

[2] t_p= 100 μs; square wave; T_j= 25 °C prior to surge

[3] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard

footprint.

[4] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1cm².

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