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PZU6.8BL

更新时间： 2024-09-23 11:08:39

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安世 - NEXPERIA		测试二极管
页数	文件大小	规格书
12页	255K
描述
Single Zener diodesProduction

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PZU6.8BL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PBCC-N2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.53	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PBCC-N2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	6.8 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

PZU6.8BL 数据手册

PZUxBL series

Single Zener diodes in a SOD882 package

Rev. 2 — 11 November 2019

Product data sheet

1. Product profile

1.1. General description

General-purpose Zener diodes in a SOD882 leadless ultra small Surface-Mounted Device (SMD)

plastic package.

1.2. Features

•

Non-repetitive peak rerverse power dissipation: P_ZSM≤ 40 W

Total power dissipation: P_tot≤ 250 mW

Tolerance series: B: approximately ±5 %; B2: approximately ±2 %

Wide working voltage range: nominal 2.4 V to 36 V (E24 range)

Low reverse current I_Rrange

Small plastic package suitable for surface-mounted design

AEC-Q101 qualified

1.3. Applications

•

General regulation functions

1.4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

V_F

Parameter

Conditions

Min

[1] -

Typ

Max

1.1

Unit

forward voltage

I_F= 100 mA

P_ZSM

non-repetitive peak

[2] -

reverse power dissipation

P_tot

total power dissipation

T_amb≤ 25 °C

[3] -

[4] -

250

550

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02

[2] t_p= 100 μs; square wave; T_j= 25 °C prior to surge

[3] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard

footprint.

[4] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1cm².

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