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PZM30NB,115 PDF预览

PZM30NB,115

更新时间: 2024-12-01 21:09:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 65K
描述
PZM30NB

PZM30NB,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT-23包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.46配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:TO-236JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:30 V
最大反向电流:0.07 µA表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max:26.6 mV/ °C
最大电压容差:6.67%工作测试电流:2 mA
Base Number Matches:1

PZM30NB,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PZM-N series  
Voltage regulator diodes  
1999 Jan 28  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Dec 15  

PZM30NB,115 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CZRT5256B-G COMCHIP

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