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PZM4.3NB3,115 PDF预览

PZM4.3NB3,115

更新时间: 2024-12-01 21:09:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 65K
描述
4.3V, 0.3W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236, PLASTIC, SC-59, 3 PIN

PZM4.3NB3,115 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT-23包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.19配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:TO-236JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:4.3 V
最大反向电流:3 µA表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max:
最大电压容差:2.28%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

PZM4.3NB3,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PZM-N series  
Voltage regulator diodes  
1999 Jan 28  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Dec 15  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PZM4.3NB3T/R NXP

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