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PUB4213

更新时间： 2024-01-29 11:21:56

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松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	207K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, SIP-10

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PUB4213 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T10	针数：	10
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	COMMON EMITTER, 4 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PSIP-T10	元件数量：	4
端子数量：	10	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

PUB4213 数据手册

Power Transistor Arrays

PUB4213 (PU4213), PUB4513 (PU4513)

Silicon PNP epitaxial planar type

For power amplification/switching

Complementary to PUB4113 (PU4113),

PUB4413 (PU4413)

Unit: mm

25.3 0.2

4.0 0.2

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h_FE

• Large collector current I_C

• PUB4213 (PU4213): PNP 4 elements

PUB4513 (PU4513): PNP 2 elements × 2 (total 4 elements)

0.8 0.25

0.5 0.15

1.0 ^0.25

2.54 0.2

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

9 × 2.54 = 22.86 0.25

1: Emitter

2: Base

3: Collector

4: Base

5: Collector

6: Base

7: Collector

8: Base

9: Collector

10: Emitter

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

C 1.5 0.5

−130

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

−80

−7

−4

Peak collector current

I_CP

−8

SIP10-A1 Package

Collector power dissipation

T_a= 25°C

P_C

3.5

Junction temperature

T_j

150

°C

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_C= −10 mA, I_B= 0

−80

V_CB= −100 V, I_E= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

−10

−50

µA



I_EBO

h_FE1

V_CE= −2 V, I_C= − 0.1 A

V_CE= −2 V, I_C= −1 A

h_FE2

260

− 0.5

−1.5

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= −3 A, I_B= − 0.15 A

V_BE(sat)I_C= −3 A, I_B= − 0.15 A

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

I_C= −1 A

MHz

µs

0.15

0.8

Storage time

I_B1= − 0.1 A, I_B2= 0.1 A

V_CC= −50 V

µs

Fall time

0.15

µs

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

■ Internal Connection

• PUB4213

• PUB4513

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: March 2004

SJK00070AED

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