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PUB4314

更新时间： 2024-11-27 20:09:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 86K
描述
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 20V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, SIP-10

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PUB4314 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIP
包装说明：SIP-10针数：10
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：7 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：2 BANKS, COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-PSIP-T10元件数量：4
端子数量：10封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN AND PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

PUB4314 数据手册

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Power Transistor Arrays  
PUB4314 (PU4314)  
Silicon NPN/PNP planar type  
For low-voltage switching  
Unit: mm  
■ Features  
25.3 0.2  
4.0 0.2  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE  
• High-speed switching  
• NPN 2 elements + PNP 2 elements  
0.8 0.25  
0.5 0.15  
0.5 0.15  
1.0 0.25  
2.54 0.2  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
9 × 2.54 = 22.86 0.25  
40  
1: Emitter  
2: Base  
3: Collector  
4: Base  
5: Collector  
6: Base  
20  
V
C 1.5 0.5  
5
V
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  
7
A
7: Collector  
8: Base  
9: Collector  
10: Emitter  
SIP10-A1 Package  
Peak collector current  
ICP  
12  
15  
A
Collector power dissipation  
Ta = 25°C  
PC  
W
3.5  
Junction temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCEO  
ICBO  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
IC  
=
10 mA, IB = 0  
20  
VCB  
VEB  
VCE  
VCE  
=
=
=
=
40 V, IE = 0  
5 V, IC = 0  
50  
50  
µA  
µA  
IEBO  
hFE1  
2 V, IC  
2 V, IC  
=
=
0.1 A  
2 A  
45  
60  
hFE2  
260  
0.6  
1.5  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC  
VBE(sat) IC  
=
=
5 A, IB  
5 A, IB  
=
=
0.16 A  
0.16 A  
V
V
fT  
VCE  
IC  
=
10 V, IC  
=
0.5 A, f = 10 MHz  
150  
0.3  
0.1  
0.3  
0.5  
0.1  
0.1  
MHz  
µs  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
NPN  
PNP  
NPN  
PNP  
NPN  
PNP  
ton  
=
2 A  
IB1  
=
66 mA, IB2  
20 V  
=
66 mA  
tstg  
VCC  
=
µs  
µs  
tf  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
■ Internal Connection  
3
5
7
9
2
1
4
6
8
10  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
Publication date: March 2004  
SJK00035AED  
1
123

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