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PUB4211

更新时间： 2024-02-09 11:01:37
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 86K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, SIP-10

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PUB4211 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIP
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T10针数：10
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：COMMON EMITTER, 4 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：15
JESD-30 代码：R-PSIP-T10元件数量：4
端子数量：10封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

PUB4211 数据手册

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Power Transistor Arrays  
PUB4211 (PU4211), PUB4511 (PU4511)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For power amplification  
Complementary to PUB4111 (PU4111),  
PUB4411 (PU4411)  
Unit: mm  
25.3 0.2  
4.0 0.2  
■ Features  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE  
• Large collector current IC  
• PUB4211 (PU4211): PNP 4 elements  
PUB4511 (PU4511): PNP 2 elements × 2  
0.8 0.25  
0.5 0.15  
0.5 0.15  
1.0 0.25  
2.54 0.2  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
9 × 2.54 = 22.86 0.25  
1: Emitter  
2: Base  
3: Collector  
4: Base  
5: Collector  
6: Base  
7: Collector  
8: Base  
9: Collector  
10: Emitter  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
C 1.5 0.5  
−60  
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  
−60  
V
−5  
V
−4  
A
Peak collector current  
ICP  
−8  
15  
A
SIP10-A1 Package  
Collector power dissipation  
Ta = 25°C  
PC  
W
3.5  
Junction temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCEO  
VBE  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)  
Base-emitter saturation voltage  
Collector-emitter cutoff current (VBE = 0  
IC = −30 mA, IB = 0  
−60  
VCE = −4 V, IC = −3 A  
VCE = −60 V, VBE = 0  
VCE = −30 V, IB = 0  
VEB = −5 V, IC = 0  
−2.0  
−400  
−700  
−1  
V
)
ICES  
µA  
µA  
mA  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
ICEO  
IEBO  
hFE1  
VCE = −4 V, IC = −1 A  
VCE = −4 V, IC = −3 A  
40  
15  
250  
hFE2  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Turn-on time  
VCE(sat) IC = −4 A, IB = − 0.4 A  
−1.5  
V
MHz  
µs  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = −10 V, IC = − 0.1 A, f = 1 MHz  
IC = −4 A  
20  
0.2  
0.5  
0.2  
Storage time  
IB1 = − 0.4 A, IB2 = 0.4 A  
VCC = −50 V  
µs  
Fall time  
µs  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
■ Internal Connection  
3
5
7
9
• PUB4211  
3
5
7
9
• PUB4511  
2
1
4
6
8
2
1
4
6
8
10  
10  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
Publication date: March 2004  
SJK00069AED  
1
123

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